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                p-mos管怎么選型,p型mos管選型表!

                字號:T|T
                文章出處:驪微電子責任編輯:電源管理芯片人氣:-發表時間:2022-10-20 10:19
                  p-mos管怎么選型,p型mos管選型主要是從封裝類型、耐壓、導通電阻等多個參數及不同的應用需求去選擇,工程師在選擇p-mos管時,一定要依據電路設計需求及MOS管工作場所來選取合適的MOS管,選擇一款合適的p型mos管,可以很好地控制生產制造成本,最為重要的是將會充分發揮其“螺絲釘”的作用,確保設備得到最高效、最穩定、最持久的應用效果。
                  
                  目前驪微電子p-mos管可提供-30 ~ -150V,-3~-46A的P 溝道 MOSFET解決方案,封裝主要有SOP-8、TO-252、PDFN33等系列,能夠滿足不同的電路拓撲結構與終端使用需求。
                  
                  p型mos管選型表
                型號 Vdss(V) Id(A) 封裝 RDSON Max(mΩ)
                SVT03110PL3 -30 -46 PDFN33 11
                SVT03380PSA -30 -6.5 SOP-8 38
                SVT10500PD -100 -30 TO-252 50
                SVGP15751PL3 -150 -3 PDFN33 750
                SVGP15161PL3A -150 -9 DFN33 160
                  
                  SVT03110PL3 30V增強型p-mos管采用PDFN-8-3*3封裝,提供了超低的導通電阻和柵極電容,漏源電壓-30V,漏極電流-46A,RDs(on)(典型值))=7.0mΩ@Vcs=10V,典型應用于移動電源、吸塵器、筆記本電腦、充電器等領域。
                  
                  SVT03380PSA p-mos管采用SOP-8封裝,具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量,是-6.5A、-30V P溝道增強型場效應管,,RDs(on)(典型值))=38mΩ@Vcs=10V,典型應用于POS機、打印機、TV、電動工具、儲能等領域。
                  
                  SVT10500PD 100v耐壓p-mos管采用TO-252封裝,漏源電壓:-100V,漏極電流:-30A,RDS(on)(典型值)=35mΩ@VGS=10V,典型應用于報警器、儲能、電動工具等。
                  
                  SVGP15161PL3A p mos管場效應晶體管采用PDFN-8-3*3封裝,漏源電壓:-150V,漏極電流:-9A,RDS(on)(典型值)=130mΩ@VGS=10V,典型應用于5G電源、通訊電源、通訊設備等。
                  
                  P型MOS管是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件,具有輸入阻抗高,驅動功率小,電路簡單等特點,被廣泛應用于汽車電子、電源管理、通信設備、工業設備、照明、便攜式產品、消費類電子與計算機3C產品等領域,更多p-mos管和N 溝道MOSFE產品選型及MOSFET國產替代手冊、參數等資料請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
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