士蘭微SiC功率器件生產線初步通線，首個SiC器件芯片投片成功！

　　廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司，是由杭州士蘭微電子股份有限公司與與廈門半導體投資集團有限公司共同投資成立的，項目總投資約220億元，規劃建設兩條12吋特色工藝晶圓生產線及一條化合物半導體器件生產線，10月24日，士蘭微發布公告稱，士蘭明鎵SiC功率器件生產線已實現初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功，首批投片產品各項參數指標達到設計要求，項目取得了階段性進展。

　　

　　士蘭微電子是國內集芯片設計、芯片制造、芯片封裝為一體的IDM公司之一，在功率器件方面，公司的超結MOSFET、IGBT、FRD、高性能低壓分離柵MOSFET等分立器件的技術平臺研發進展較快，產品性能達到業內領先的水平。分立器件和大功率模塊在白電、工業控制、新能源汽車、光伏等市場均有突破。

　　

　　士蘭明鎵已于2022年7月正式啟動化合物半導體第二期建設項目，即“SiC功率器件生產線建設項目”。本項目計劃投資15億元，建設一條6吋SiC功率器件芯片生產線，最終形成年產14.4萬片6吋SiC功率器件芯片的產能，其中SiC-MOSFET芯片12萬片/年、SiC-SBD芯片2.4萬片/年。

　　

　　士蘭明鎵正在加快后續設備的安裝、調試，目標是在今年年底形成月產2000片6英寸SiC芯片的生產能力。目前公司已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術的開發，性能指標達到業內同類器件結構的先進水平。已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅功率模塊上，參數指標較好，繼續完成評測，即將向客戶送樣。

　　

　　SiC作為第三代半導體材料的典型代表，具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，是高溫、高壓、大功率應用場合下極為理想的半導體器件材料，應用于新能源汽車、光伏、工控等領域，在電力電子設備中實現對電能的高效管理。

　　

　　在新能源汽車領域，SiC功率半導體主要用于驅動和控制電機的逆變器、車載DC/DC轉換器、車載充電器（OBC）等，以逆變器為例，碳化硅模塊代替硅基IGBT后，逆變器輸出功率可增至硅基系統的2.5倍，體積縮小1.5倍，功率密度為原有3.6倍，最終實現系統成本整體降低，車載充電器和充電樁使用SiC器件后將充分發揮高頻、高溫和高壓三方面的優勢，可實現充電系統高效化、小型化和高可靠性。